【資料圖】
SK海力士宣布，已開始量產(chǎn)238層4DNAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機的海外客戶公司進行產(chǎn)品驗證。
晶體管尺寸微縮遇到物理極限，現(xiàn)已面臨瓶頸，達到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升，3DNAND成為發(fā)展主流。
華西證券指出，隨著3DNAND技術(shù)節(jié)點的升級，即堆疊層數(shù)的增加，刻蝕設(shè)備用量需求會有明顯地變化。3D存儲的發(fā)展大量激發(fā)刻蝕設(shè)備需求，存儲應(yīng)用中，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備已成為最核心設(shè)備。
利好板塊：半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備
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